Зеленоградский нанотехнологический центр (АО «ЗНТЦ») ввел в эксплуатацию новый участок для экспериментального производства транзисторов на основе нитрида галлия. Главной сложностью освоения данной технологии является удешевление производства. Прежде все компоненты, разработанные в России, производились за рубежом, а так как объем рынка исчисляется сотнями тысяч штук и постоянно растет, предприятие вложило в проект около миллиарда рублей. Это первое подобное производство на территории РФ.
На этой линии планируют выращивать кристаллы транзисторов на кремниевой подложке диаметром 150 мм. Эти радиоэлектронные компоненты используются при производстве мощных источников питания и сверхвысокочастотной электроники, так как по своим характеристикам они существенно превосходят кремниевые аналоги и могут работать в экстремальных условиях. Транзисторы, созданные на основе GaN, позволят существенно уменьшить энергопотребление электроники, а аппаратура, произведенная с их использованием - компактнее. Благодаря своим преимуществам, нитрид-галлиевые транзисторы стали широко применяться в альтернативной энергетике (инверторы, солнечные панели), в автомобилестроении, станциях сотовой связи и системах управления электродвигателями. Поэтому производство стратегически важно для сфер телекоммуникации, промышленности и энергетики. Так, с вводом экспериментальной линии, компания «ЗНТЦ» рассчитывает перейти от единичного производства к мелкосерийному.
